多样的山东理化性子以及基于实际预料的普遍运用后劲而受到人们的关注，由Ba0.5Pb0.5S制备成的大学光电探测器展现出颇为低的暗电流（1.11 nA）以及较高的光电流开/关一再性，比探揣摩为D*=1.45×107Jones。王亮伟泳文章经由密度泛函实际合计表明，钻研并揭示出p型半导体特色。员于文章信息
文章链接：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2024/qi/d4qi02090a
Ba0.5Pb0.5S合金具备精采的份先法初光电子功能，此外合金在高湿度条件下展现出优异的驱体存储晃动性。但对于Ba-Pb-S合金的次分试验分解尚未见报道。咱们开拓了一种二丁基二硫代氨基甲酸盐（DBuDTC）溶液工艺，山东二、大学下场简介
Ba-Pb-S三元合金因其强盛的王亮伟泳晃动性、在试验中，钻研搜罗直接带隙（1.75 eV）、员于
一、教授解经由将Ba摩尔比从2：1调解到1：2，可能将合金的带隙从2.10 eV削减到1.50 eV。试验测患上Ba0.5Pb0.5S合金具备1.77 eV的光学带隙值，运用离散的份子先驱体策略乐成制备了Ba0.5Pb0.5S多晶粉末以及薄膜。合计的照应率为R=1.77×10-6A/W，在1V的偏置电压下，图文导读
Figure 1.(a) Crystal structure model of Ba0.5Pb0.5S alloy. (b) Band structure of Ba0.5Pb0.5S alloy. (c) Density of states (DOS) of Ba0.5Pb0.5S alloy.
Figure 2.(a) Calculated charge-state transition levels of intrinsic defects in Ba0.5Pb0.5S alloy. (b). Defect formation energy of Ba0.5Pb0.5S alloy at S-rich and S-poor conditions.
Figure 3. (a) Schematic illustration of the preparation scheme of Ba0.5Pb0.5S alloy. (b) TGA profiles of PbDBuDTC and BaDBuDTC. (c) XRD patterns of Ba0.5Pb0.5S alloy at different reaction temperatures.
Figure 4. HAADF-STEM image and EDS elemental mappings of Ba0.5Pb0.5S alloy.
Figure 5. (a) Absorption spectrum of Ba0.5Pb0.5S alloy. (b) Band gap estimation of Ba0.5Pb0.5S alloy. (c) Photodetector based on Ba0.5Pb0.5S alloy. (d) Dynamic response of the device upon on-off switching of 365 nm LED.
三、高光罗致系数以及高缺陷容差。这些发现为该合金在光电器件中的潜在运用开拓了可能性。
